과제명 : SiC 단결정 웨이퍼 양산기술 개발 가속
- 분석구분
- 과제수행자
- 박*학
- 분석일
- 2002-10-22 12:00:00.0
- 기술산업분류
- ,
- 작성기관
- 한국과학기술정보연구원
- 키워드
- 반도체 고주파 광소자
- 과학기술표준분류
- 내용
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반도체 소자는 대부분이 Silicon 및 그 산화물로 구성되어 있다. 그리고 특정 기능성 소자(고주파특성, 광 특성)로 2/6 3/5 4/4족 반도체 소자가 사용된다. Silicon carbide (SiC)는 4/4족 화합물 반도체이며 Si 소재 반도체가 성능 경쟁력이 떨어지는 분야, 일 예로 대전력, 고전압 스위칭소자(GTO, MTO thyristor, Diod), 1-10GHz 영역의 대전력 microwave 소자(SIT, FET/MODFET), 그리고 고온소자 분야에서의 새로운 반도체 소자 물질로 집중적인 연구대상 분야이다. 이러한 응용특성은 이 물질의 높은 열 안정성, 높은 절연 파괴 전압, wide band gap energy등의 물질 특성에 기인한다.
- 분석물
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