과제명 : 플라즈마 반응성 증착법의 기술개발 동향

분석구분

기술동향분석

과제수행자

오*섭

분석일

2012-12-18 11:21:32.0

기술산업분류

에너지

작성기관

한국과학기술정보연구원

키워드

플라즈마 반응성     

과학기술표준분류

에너지 · 자원

내용

플라즈마 화학기상 증착법은 열화학증착법에 비해 저온에서 탄소나노튜브를 합성시킬 수 있는 장점이 있고 특히 디스플레이 제작에 주로 사용되고 있는 Soda lime glass의 변형온도인 550℃ 이하에서 탄소나노튜브를 합성시킬 수 있다. 그러므로 저온 글로우 방전 플라즈마는 반도체 공정에서 플라즈마 식각이나 증착(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 금속이나 고분자의 표면처리, 새로운 물질의 합성에 점점 더 많이 이용되고 있다. 공정의 미세화와 저온화의 필요성으로 플라즈마 공정이 기존의 화학습식공정을 대신하고 있으며, 특히 전자부품 패키지의 표면처리 및 다층 PCB의 홀에 존재하는 오염제거에 플라즈마 기술이 점점 많이 적용되고 있는 등 그 용도가 점점 확대되고 있다. 기존의 초고압과 고온으로 제조되던 공정이 플라즈마를 이용한 플라즈마 화학기상 증착법(PECVD)에 의해 박막형태로 얻어지고 있다. 서로 다른 기판위에 단결정으로 성장이 가능해지면 극한 상항에서도 동작하는 반도체 소자나 우주산업용 기계부품의 윤활코팅에 이용될 수 있어 그 분야의 산업에 크게 공헌할 있을 것이다. 금속 표면 경화처리에도 플라즈마를 활용할 수 있어 금속표면 초경피막을 제막하여 표면의 내마모성, 부식내성을 개선할 수 있다. 그러므로 반도체 기판의 제조기술을 발달시키고 그 응용을 위해서는 플라즈마 이용 증착법의 기술을 향상시켜 향후 반도체 산업에 크게 이바지 할 수 있도록 하여야 할 것이다.

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