과제명 : 차세대 메모리 소자 finFET 기술동향분석

분석구분

기술동향분석

과제수행자

황*룡, 이종길

분석일

2007-12-24 12:00:00.0

기술산업분류

전기·전자,정보통신

작성기관

한국과학기술정보연구원

키워드

MOSFET  FinFET  메모리소자

과학기술표준분류

내용

소자의 크기를 줄이고 집적도를 높이기 위한 노력 중 하나로서 3차원 구조 소자 개발을 들 수 있다. 소자의 on/off를 2차원 게이트만으로 제어할 때 극복하기 어려웠던 단채널 효과들을 3차원적인 구조를 통해 제어함으로서 기존의 문제점을 극복해 채널의 길이를 감소시키는 것이 가능하다.
본 보고서는 소자 축소화에 따른 현 CMOS의 한계를 알아보고, FinFET에 대한 집중 탐구로서 국제 학회에서 발표된 논문, 산업 기사, 특허 등을 통해 FinFET에 대한 기술 동향을 조사하였다. 조사된 바에 따르면 FinFET은 소자 축소화에 따른 Punch-trhough, DIBL 등 단채널 효과를 효과적으로 제어하고 빠른 스위칭 속도를 가진 것으로 조사되었으며 향 후 다가올 2013년 이 후 32nm 기술에서도 성공적으로 적용될 수 있을 것으로 예상된다.

분석물

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