과제명 : 포토레지스트의 기술동향

분석구분

기술동향분석

과제수행자

고*성

분석일

2005-11-21 12:00:00.0

기술산업분류

화학·화공

작성기관

한국과학기술정보연구원

키워드

반도체  리소그래피  포토레지스트

과학기술표준분류

화학공정

내용

반도체 기술의 핵심은 리소그래피이며 회로의 미세화 공정에 사용되는 것이 포토레지스트와 노광광원이다. 미세화 기술은 반도체 제품의 고집적화의 견인차 역할을 하고 있다. 포토레지스트를 도포한 Si 웨이퍼에 마스크를 통하여 노광하고 열처리 후 현상하면 패턴이 형성된다. 노광광원의 파장이 짧을수록 해상도는 미세화 한다. 수은 램프의 i선(365nm), KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm), F2 엑시머 레이저로 광원의 파장이 감소하고 있다. 각 광원에서 투과도가 좋고 에칭 저항성, 감도 및 해상도가 우수한 포토레지스트의 개발이 계속되고 있다. ArF 드라이 리소그래피의 다음의 미세화 기술은 ArF 침지 리소그래피로 예상되며 이후 EUV로 진행할 것으로 예상된다. 나노임프린트 리소그래피도 차세대 리소그래피로 고려되고 있다. 패턴의 미세화에 수반하여 중요한 개발의 포인트는 현상 및 해상 후의 패턴의 붕괴의 방지 등을 위한 레지스트 분자의 최적설계 및 분자량 제어이다.

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