과제명 : 단수-전자 기억장치의 기술개발 동향

분석구분

과제수행자

박*윤

분석일

2003-12-29 12:00:00.0

기술산업분류

작성기관

한국과학기술정보연구원

키워드

기억장치  DRAM  

과학기술표준분류

내용

현재의 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 장애기술을 극복할 하나의 해결책은 셀(cell) 크기의 축소에 따라 전하량을 축소할 수 있는 DRAM 이득장치(gain) 셀들을 사용하는 것이다. 장차 DRAM 이득장치 셀들은 단수-전자 기억장치(memory)로 발전될 수 있는데, 그 기억장치에서는 다층-터널(tunnel)-접속에 의해서 제어된다. 긍극적으로는 단수-전자 기억장치들이 1 bit 정보를 표시하는 단지 하나의 전자에 기반을 둘 수 있게 될 것이다.

분석물

이미지변환중입니다.

등록된 분석물이 없습니다.