과제명 : DRAM Capacitor 재료 TaO,BST,STO

분석구분

과제수행자

박*학

분석일

2003-10-21 12:00:00.0

기술산업분류

,

작성기관

한국과학기술정보연구원

키워드

DRAM Capacitor  Ta2O3  콘덴서

과학기술표준분류

내용

DRAM Capacitor의 구조는 물성이 양호한 제조방법과 경제성을 고려하여 10여년 안에 여러 번 변천하였고, 유전효율이 높은 유전체는 그 박막을 만드는 방법에 의하여 물성이 가지는 최대효율을 유지하게 된다. DRAM Capacitor의 고유전율재료 BST의 박막형성 기술의 다양화의 모색, 그리고 다른 High-k의 재료를 찾는 것이 이 분야의 기술을 혁신하는 관건이 될 것이다.

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