과제명 : 고유전율 Gate 절연막

분석구분

과제수행자

박*학

분석일

2003-10-21 12:00:00.0

기술산업분류

,

작성기관

한국과학기술정보연구원

키워드

ALD  게이트  

과학기술표준분류

내용

고유전율재료 ZrO2, HfO2와 Al2O3를 이용하여 ZrAlxOy와 HfAlxOy의 박막을 ALD법, MOCVD법, PVD법 등 다양한 방법으로 박막을 만들고 있으며, Si기판에 안전하게 막을 형성하고 조성도 균일하게 피막을 입힐 수 있는 기술개발이 선진국에서 활발히 진행되고 있다. 이 기술은 통신전자기기의 고성능화, 그리고 소형화에 크게 일조를 하게 된다.

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