과제명 : SiGe HBT 기술동향

분석구분

과제수행자

김*수

분석일

2003-06-30 12:00:00.0

기술산업분류

작성기관

한국과학기술정보연구원

키워드

SiGe  SiGe HBT  

과학기술표준분류

내용

Si BJT는 화합물 반도체 소자에 비하여 고신뢰성, 고집적성, 저가격 및 소비전력 특성이 우수하다. 그러나 Si소자의 경우 동작 주파수가 2Ghz 미만의 회로에 적용되어왔다. 초고속 통신 기술의 발전으로 수십 GHz의 고속 회로의 구현이 필요하였고, 고속 회로의 설계에는 GaAs로 대표되는 화합물 반도체 소자가 사용되어왔다. 그러나 화합물 반도체의 경우 가격, 집적도 등 기술적으로 해결되어야 할 많은 어려움을 갖고 있었다. 반면에 Si 소자의 경우 공정기술이 획기적으로 발전하여 집적도 증가 및 가격 경쟁력을 갖추어 점진적으로 적용 범위가 확대되고 있다. 특히 Si 소자의 장점과 화합물 소자의 고주파 특성을 갖고 있는 SiGe HBT가 등장하여 차세대 고주파소자로서 각광을 받고 있다. SiGe HBT는 가격 면에서 GaAs보다 가격면에서 상대적으로 저렴하며 특성도 Si BJT로 적용이 불가능했던 주파수 범위까지 적용이 가능하게 되었다.

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