과제명 : SiGe 반도체 기술동향 보고서

분석구분

기술동향분석

과제수행자

김*수

분석일

2003-06-30 12:00:00.0

기술산업분류

전기·전자,정보통신

작성기관

한국과학기술정보연구원

키워드

SiGe반도체  SiGe HBT  

과학기술표준분류

전기 · 전자

내용

SiGe HBT 및 SiGe BiCMOS 공정기술은 1∼10㎓ 주파수대역의 RFIC설계에 가격 경쟁력과 성능을 갖춘 최적의 공정이라 할 수 있다. 저가격, 소형화, 저전력화 그리고 저잡음 특성, 고선형성이 가능하므로 SiGe HBT기반의 BiCMOS공정은 저가의 고속 회로 설계에 적합한 공정으로 GaAs HBT가 점유하고 있던 RFIC분야로의 영역이 확대될 것으로 판단된다. 특히 휴대용 단말기에는 저가격 및 저전력 소모 특성을 갖고 있어 가장 경쟁력 있는 공정이다. 기존의 Si 공정을 그대로 사용할 수 있어 큰 투자 없이 생산비용의 절감이 가능하다. 열전도성도 GaAs에 비하여 3배정도 좋아서 패키징 비용도 크게 절감된다.
SiGe기술로 가장 앞선 기술을 보유하고 있는 IBM에서는 0.13μm BiCMOS 공정을 기반으로 한 fmax= 350GHz가 발표되어 160GHz 전송장비 설계에 적용되었다. 나노기술을 기반으로 한 sub 100nm의 scaling down이 예상되고, 동작주파수의 범위는 계속 확대될 것으로 판단된다. HBT소자 기술 외에 회로를 구성하고 있는 수동소자에 대한 연구로 금속배선, 유전체 박막기술이 요구된다. 향후 통신용으로 단일칩 셀룰러폰 등 SiGe BiCMOS를 기반으로 하는 RF SoC 설계 기반의 구축이 필요하다.

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