과제명 : 질화갈륨소재 및 소자관련 기술동향

분석구분

기술동향분석

과제수행자

이*학

분석일

2003-02-14 12:00:00.0

기술산업분류

재료

작성기관

한국과학기술정보연구원

키워드

GaN  소자  광대역반도체

과학기술표준분류

화학공정

내용

GaN는 3.39eV의 직접천이형 밴드갭을 가지는 광대역반도체(wide band-gap semiconductor)로서 70년대 초부터 청색 발광 소자를 비롯한 다양한 광전소자와 보호박막 등의 응용을 목적으로 연구되어왔던 물질이다. GaN는 1970년대에 미국과 일본에서 고품질의 GaN 성장을 시도하였으나 GaN의 격자 상수에 부합하는 기판물질의 부재와 성장방법의 미비로 어려움을 겪었다. 1980년대에 들어서면서 MOCVD와 MBE 성장법 도입으로 결정성장 연구가 가일층 발전되었으며, 1986년 일본의 아카사키교수가 Buffer층 기술을 도입시킴으로 고품질의 GaN성장을 가능케하였다. 1989년 아카사키교수에의해 P-GaN성장의 기술이 가능해짐에따라 p-n접합에의한 GaN 청색 발광다이오드가 개발되었으며, 1994년 일본 Nichia에 의해 고휘도 청색 발광다이오드를 상업화하게되었다.

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