과제명 : TSV(실리콘관통전극)를 이용한 반도체

분석구분

미래유망기술분석

과제수행자

송*택

분석일

2011-11-29 00:00:00.0

기술산업분류

전기·전자

작성기관

한국과학기술정보연구원

키워드

실리콘관통전극     

과학기술표준분류

전기 · 전자

내용

지난 30～40년간 실리콘 반도체 칩의 집적도는 소위 무어의 법칙에 따라 1.5～2년에 2배 정도로 기하급수적으로 증가해 왔다. 그러나 집적도를 높이기 위해 반도체 칩 상에서 최소 배선 폭을 줄이는 방법은 점차 물리적 한계에 도달하게 되고 경제성 측면에서도 적합하지 않게 되었다.

이러한 문제를 해결하기 위해 3차원 집적회로(3D IC) 기술개발이 활발히 전개되고 있으며, 실리콘 관통전극(TSV: Through Silicon Via) 및 마이크로 범프를 적용하여 3차원 집적회로를 상용화하는 기술이 현실적으로 가장 주목을 받고 있다. 본 과제의 목적은 3차원 반도체 집적회로 기술, 특히 TSV 기술에 관하여 국내외 업체의 개발 현황, 학계 및 연구계의 연구개발 현황 및 시장 전망을 조사/분석하기 위함이다.

분석물

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