반도체 패키지의 웨이퍼 수준 가공

전문가 제언

○ 2016년 현재, 일본의 Toshiba사는 28nm 인터포저용 습식 구리(Cu)전기도금 기술개발과 함께 신호고속송신용 고주파부품에 균일한 구리전기도금부품을 공급하고 있다. 균일도금 첨가제는 황(S)을 함유한 광택제(B; Brightener)와 질소(N)나 아미노(NH)기를 함유한 평활제(L; Leveler)를 상호보완적으로 전류흐름을 조절하여 균일도금 두께를 확보하고 있다. 하지만 저전류에서 장시간 도금하면 균일한 도금두께를 얻을 수 있지만 생산성이 떨어지므로 고속도금 첨가제 기술도 개발되는 추세이다.

 

○ 국내의 반도체 도금기술은 1990년 이후, 인쇄회로기판의 도금기술발전과 함께 눈부시게 발전하고 있다. (주)코리아써키트사는 1973년부터 인쇄회로기판의 Cu도금을 시작으로 MLB, Via Hole, BVH & IVH에 도금하여 삼성전자에 공급하고 있으며 수출제품도 개발하고 있다. 태일정밀과 서울반도체사는 CD용 니켈도금, 스마트폰용 리소그래피 도금과 에칭기술도 개발하였다.

 

○ 2011년 성균관대학교에서는 반도체 패키지의 핵심부품에 사용되는 Cu/Sn/Cu와 Cu/Ni(P)/Sn/Ni(P)/Cu 접합구조 재료의 기계적·전기적 특성 연구의 논문을 발표하였다. 2015년 ㈜에이피씨사는 한국전자통신연구원과 공동으로 한국표면공학회에 참가하여 솔더 범프용 고순도 Cu VMS 제조에 관한 논문을 발표하였다.

 

○ 국내의 반도체 도금업체에서는 전문인력과 정보시스템이 부족하다. 이에 최근의 세계적인 반도체 도금기술정보를 입수하기가 어려운 상황이다. 이에 현재 필자는 과거의 도금현장 경험을 살려 반도체 도금기술정보를 제공하고 있다. 향후 반도체 도금분야의 퇴직전문인력을 활용함으로써 국산 반도체 품질기술력 향상을 이룩할 수 있을 것으로 사료된다.

 

저자

Takeshi WAKABAYASHI

자료유형

니즈학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2016

권(호)

67(8)

잡지명

表面技術

과학기술
표준분류

재료

페이지

409~413

분석자

김*상

분석물

• 반도체 패키지의 웨이퍼 수준 가공.pdf [548,368 byte]

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