Cathilon에 의한 Co-Cr-Mo합금의 연마

전문가 제언

 

 

○ 연마액 중의 형광염료로 카칠론(Cathilon)과 산화알루미늄 또는 2산화 티타늄을 혼입해서 파장 254nm, 조도 0.6W/cm2의 자외선을 조사하면서 무산소동과 Co-Cr-Mo합금을 한다. 또한, Co, Cr, Mo 등의 산화/용해량을 ICPS에 의해 정량적으로 분석한다. Co합금의 연마에서 어떠한 반응 생성물이 제거되는가를 추측하기 위해 Cathilon과 물의 분해에서 생성되는 화합물을 예측한다. TiO2 슬러리, Cathilon 슬러리 및 이들의 혼합 슬러리에 의해 Co합금 연마를 하고 자외선 여기가공의 유용성을 명확히 하였다.

 

○ CMP 기술은 반도체 소자가 진공관 시대에서 VLSI, ULSI로 고집적화 되면서 리소그래피(lithography)기술이 허용하는 초점 심도가 단차이상으로 감소하는 문제를 CMP 기술의 광역 평활화 기술을 이용하여 해결하였다. 1990년대 초 미국의 Intel사에서 CPU 칩 생산에 처음 적용하였고 국내에서는 삼성전자와 하이닉스 반도체가 1997년 189nm 64M DRAM 생산에 처음 사용하였다. 이후 메모리 소자 배선 선폭이 100nm이하로 감소하면서 기존의 회로배선 절연막의 평탄화 및 회로배선 분리 및 배선 표면개선에 응용 분야가 확대되었다.

 

○ 반도체 기판의 연마 방식은 아직까지는 CMP기술에 의존하는 것이 대세이다. 국내 반도체 공장은 주요장비는 해외 선진 기술사인 Applied Materials사의 것을 많이 채택하고 있다. 국내 장비 메이커로는 주성엔지니어링, KDNS(세메스), 연구엔지니어링, 한텍사 등이 있고 CMP 장비로서는 케이씨텍(KCTech)이 있으나 자금 및 기술면에서 영세성을 벗어나지 못해 해외경쟁력에서는 아직 많이 뒤지고 있다.

 

○ 현재 반도체 소자 배선의 미세화에 따라 당양한 종류의 산화막, 질화막 capacitor electrode barrier metal 및 noble metal CMP 공정의 도입과 응용, 기판 및 배선의 표면연마를 통한 전기적 특성의 안정화와 생산 라인의 자동화 수준을 높여서 가동률을 높여 생산성을 향상을 통한 초미세 반도체 부품 생산에 적합한 높은 수준의 정밀도를 지원하는 연마기술의 발전이 필요한 시기이다.

저자

Takashi Tanaka

자료유형

니즈학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

정밀기계

연도

2016

권(호)

82(7)

잡지명

精密工學會誌

과학기술
표준분류

정밀기계

페이지

690~696

분석자

심*일

분석물

• Cathilon에 의한 Co-Cr-Mo합금의 연마.pdf [554,916 byte]

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