웨이퍼의 습식 에칭법과 세정 기술

전문가 제언

 

 

○ 반도체 재료제조 공정은 전공정 재료와 후공정 재료로 대별할 수 있다. 전공정 재료는 다시 반도체의 기판이 되는 웨이퍼 기능재료와 웨이퍼를 가공하여 칩을 제조하는데 사용되는 소재로 포토마스크, 포토레지스트, 반도체용 고순도 화공약품 및 가스류, 배선재료 등의 공정재료로 분류되며, 후공정 재료에는 리드프레임, 본딩와이어, 밀봉재 등의 구조재료가 있다. 

 

○ 반도체 전공정 장비는 다시 화학증착(CVD), Asher, 식각, Track 등의 Main장비와 세정, 개스 캐비넷, Chiller, Scrubber 클린룸, 반도체 배관설비 등의 주변장비로 구분된다. 후공정장비는 Test Handler, Chip Mounter, Burn-in System 등의 검사장비와 몰딩, 트리밍, 포밍의 포장과 레이저 마킹 등의 기타장비로 세분할 수 있다. 

 

○ 2007년 일본의 Koji Maruyama 등은 Galvanic부식과 기계화학적 연마(CMP; Chemical Mechanical Polishing) 슬러리의 방식효과에 관한 표면처리기술을 추계응용 물리에 게재하였다. 웨이퍼의 평탄화(Planarization)기술은 최근에 새롭게 소개되는 가공기술의 하나로서 소자의 미세화와 고밀도화가 진행되면서 표면구조가 복잡해지면서 요철이 심화되고 있다. 평탄화 기술은 이 때문에 CMP 기술이 핵심이다. 최근 CMP법 이외에 에치백(Etch Back)법과 유동(Flow)에 의한 평탄기술도 확보하고 있다. 또 평탄한 면에 축소 투영을 실시함으로써 해상도도 높일 수 있다.

 

○ 2016년 삼성전기에서는 패턴 형성을 위한 건식에칭이 어려운 구리박막(Copper foil)에는 CMP법을 응용한 다마신(Damascene)공법을 적용하고 있다. 표면처리를 소홀히 다루면 다층 배선공정에서 단선이나 쇼트의 원인이 되기가 쉽다. 웨이퍼나 평판디스플레이 표면에 반도체 패턴이나 도선 패턴 등을 형성시킬 때 금속오염물이나 입자들을 제거할 때에는 고순도의 약품을 사용해야 하며 반도체공정에서 30∼40% 정도가 습식세정공정이 차지하고 있다. 향후 고품질의 국산 웨이퍼 표면품질 향상을 위한 원가절감형의 습식세정 기술정보제공이 필요하다.

 

저자

Jun MATSUI

자료유형

니즈학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2016

권(호)

67(8)

잡지명

表面技術

과학기술
표준분류

재료

페이지

396~400

분석자

김*상

분석물

• 웨이퍼의 습식 에칭법과 세정 기술.pdf [558,831 byte]

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