Suede 연마 패드에 의한 난가공 기판 연마

전문가 제언

○ 현재 일본에서는 한국에 뒤진 반도체 산업을 부활시키기 위해 조직적, 국가적 프로젝트가 진행 중이다. 그 중 차세대 반도체 프로세스를 지원하는 요소기술 개발이 주요 테마를 이루고 있다. 또 국제학회 등에서는 차세대 디바이스의 요소기술에 대응하는 키 프로세스 개발 성과가 발표되고 있다. 스웨이드 패드에 관한 본 연구에서는 난가공 기판의 하나인 사파이어의 CMP를 대상으로 해서 기판과 스웨이드 패드 사이의 최적한 접촉상태를 찾아내기 위하여 기공 수가 다른 6종류의 스웨이드 패드를 사용해서 검토하는 것을 목적으로 하였다.

 

○ 일본 LapmasterSFT사에서는 8년 전부터 Si 웨이퍼용 CMP 장치를 판매하고 있다. 200mm, 300mm 웨이퍼용으로 수십 대의 실적이 있지만 이면 연마 요구에 대응하여 오랫동안 쌓아온 기술을 활용, 차세대 Si 웨이퍼 연마를 주시 한 새로운 장치를 개발했다. 전자동 편면 매엽식 연마장치로서 세계 최고 수준의 수율을 과시하고 있다. 디지털 가전시대에 돌입하여 디자인 툴의 미세화로 나노기술을 이용한 MEMS 소자, SOI(Silicon On Insulator)라고 하는 분야에서의 CMP 기술 채택 등 반도체 디바이스의 연마 수요가 점점 높아져 가고 있다.

 

○ 국내에서는 LED 기판용 사파이어 단결정을 제조하는 데 있어 가장 큰 문제점인 회수율 향상을 위해 세계적으로 개발되어 있는 기존의 사파이어 단결정 성장 방법들과는 전혀 다른 새로운 방법인 수직-수평 온도 구배법인 VHGF(Vertical-Horizontal Gradient Freezing)을 사파이어테크놀로지에서 세계 최초로 개발하여 사파이어 단결정을 생산하고 있다. 우리의 과제는 에피택셜(Epitaxial) 공정의 생산성 향상에 유리한 150mm, 200mm, 300mm급 큰 지름 기판의 제조기술을 확보해 단면과 양면의 폴리싱(polishing) 기술을 개발하는 것이다.

 

○ 반도체 왕국인 삼성전자에서도 폴리싱 공정에 사용되는 다결정질 다이아몬드와 CMP공정에 사용되는 슬러리(slurry)를 아직까지는 일본, 대만, 미국으로부터 수입하고 있다. 이들의 시급한 국산화와 생산성 수율 향상을 위한 기판 소재의 큰 지름화라는 과제를 해결해야 할 것이다.

저자

Michio Uneda, Keiichi Takano, Masataka Sakamoto, Koji Koyama, Hideo Aida, Ken-ichi Ishikawa

자료유형

니즈학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

정밀기계

연도

2016

권(호)

82(7)

잡지명

精密工學會誌

과학기술
표준분류

정밀기계

페이지

703~708

분석자

심*일

분석물

• Suede 연마 패드에 의한 난가공 기판 연마.pdf [537,372 byte]

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