실리콘 웨이퍼에의 전해황산 이용기술

전문가 제언

○ 현대 과학기술문명의 한 축을 담당하고 있는 반도체기술은 더 정밀하고 미세화 되는 방향으로 계속 발전하고 있다. 제조 시의 미세화는 반도체에 이용되는 배선이나 트랜지스터의 배선 폭을 최소로 하거나 간격을 좁히는 기술이다. 미세화에 의해 실리콘웨이퍼 단위면적당 칩수를 증가시킬수록 제조 비용이 낮아진다.

○ 실리콘웨이퍼 위의 불순물은 실리콘산화막, 실리콘질화막 및 포토레지스트 등이 있는데 무기질 불순물은 에칭에 의해 제거되지만 포토레지스트는 소수성 유기질이기 때문에 제거하기 곤란하다. 포토레지스트는 산소 플라스마에 의해 제거하거나 웨이퍼를 약품 용액이 들어 있는 세정장치에 침지하여 세정하는 방법이 있다.

 

○ 포토레지스트 제거방법은 오존 제조장치를 세정조에 전용으로 연결하여 실리콘웨이퍼 표면의 오존수 세척 속도를 빠르게 조절하여 소수성 레지스트를 산화시켜서 세정한다. 본고는 황산을 전기분해하여 생성된 과황산을 이용하여 소수성 레지스트를 산화시켜서 제거하는 기술로 장치가 간단하고 에칭처리를 하지 않는 특징이 있다.

 

○ LSI에 사용되는 박막재료는 Si, SiO2, Poly-Si, Metal-Silicide 등이 있는데, 본고에서는 NiPt silicide의 잔사 제거에 대한 것으로, NiPt잔사 제거는 왕수를 이용하는 방법도 있으나 왕수는 Ni, Pt를 완전히 용해시킬 수 있는 강산이고 맹독성 NO가스도 발생하므로 인체에 치명상을 줄 수 있다. 전해황산에 염산을 혼합해서 잔사를 제거할 경우 Pt 미립자도 용해시킬 수 있는 능력이 있어서 잔사처리 효과도 양호하고 겸하여 유기물도 분해 제거할 수 있는 특징이 있다.

 

○ 국내 삼성전기의 반도체 제조공장에서도 실리콘웨이퍼 세척방법에 있어서 무기질은 에칭하고 포토레지스트 오존수나 과산화수소와 황산을 혼합해서 제거하고 있다. 하지만 전해황산을 이용하여 처리하는 방법이 장치도 간단하고 효율도 우수하므로 응용 연구개발하기를 제언한다.

저자

Tatsuo NAGAI

자료유형

니즈학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2016

권(호)

67(8)

잡지명

表面技術

과학기술
표준분류

재료

페이지

421~426

분석자

황*길

분석물

• 실리콘 웨이퍼에의 전해황산 이용기술.pdf [556,413 byte]

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