도금기술 동향과 필요한 전략

전문가 제언

○ 국내의 도금기술은 해방 후 일본도금회사에 종사하던 공원들의 경험에 의해 장식 도금을 실시해 왔다. 하지만 1980년대부터 귀금속 도금 등의 기술이 발전 되면서 2000년대 초기부터 발광 다이오드(LED)를 비롯한 각종 전자 기기가 개발되면서 핵심기술로 발전하여왔다. 본고에서는 최근 일본 KONAN대학교의 LED 반사경 도금기술과 배선기판의 전극 접촉기술을 소개하였다.

 

○ LED 반사경은 가시광 영역에서 높은 반사율이 요구된다. Au나 Cu는 파장이 700㎚에서 97% 이상의 높은 반사율을 나타내지만 400㎚ 낮은 파장영역에서는 40%정도로 낮다. 이에 반해 Ag와 Al은 넓은 파장영역에서 높은 반사율을 나타낸다. 연마된 Al 1050 재료는 가시광 영역에서 85%의 반사율을 나타낸다. Al은 수용액 전해가 어려우므로 AlCl3와 상온에서 부틸 피리듐 클로라이드(BPC; Butyl Pyridinium chloride) 염을 사용하지만 고가인 단점이 있다. 하지만 Ag는 대기 중 산화에 의해 반사율이 저하하기 때문에 표면 코팅이 필요하다. Ag반사막의 변질 방지를 위해서는 ITO, ZnO, SnO2 코팅이 유효한 것으로 밝혀졌다.

 

○ SiC전력소자의 절연파괴 전계가 크기 때문에 Si소자에 비해 두께를 10분의 1로 얇게 할 수 있다. SiC를 전력소자로 사용할 때 발생하는 열은 고온이 되어도 특성변화가 적어서 실온에서의 동작과 동등하다. 종래의 SiC 부품의 접합에는 Sn-Pb솔더링을 하였으나 유해한 환경문제 때문에 납(Pb)의 사용이 금지되었다. 이에 향후 융점이 250℃이상인 Sn-Cu-Zn, Sn-Fe-Zn, Sn-Zn 합금도금과 융점이 271℃인 무전해 Bi도금에 의한 접합기술 개발이 기대된다.

 

○ 국내의 삼성전자나 LG반도체에서는 Si웨이퍼를 대량 사용하고 있다. 하지만 이러한 부풍을 도금하는 표면처리업체는 대부분 영세한 중소기업이 많은 실정이다. 향후 산학연 협동을 통하여 플라스틱 도금, 귀금속도금 및 전자부품의 기판회로의 접합도금을 위한 새로운 기술정보제공과 함께 소형화 미세회로 개발에 따른 핵심뿌리기술의 연구개발이 필요할 것으로 생각된다.

저자

Hidemi NAWAFUNE

자료유형

니즈학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2015

권(호)

66(9)

잡지명

表面技術

과학기술
표준분류

재료

페이지

403~409

분석자

황*길

분석물

• 도금기술의 동향과 필요한 전략.pdf [567,135 byte]

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