스패터 퇴적법에 의한 Si/Ge의 저온고속 에피택시 성장과 태양전지 응용

전문가 제언

○ 이 자료는 스패터 에피택시(SE, Spatter Epitaxy)법으로 n+ emitter를 형성한 Si 및 Ge의 태양전지 시제품을 만들어 성능을 분석하고 있으며 태양전지의 최대 내부 양자효율이 80% 이상이라고 밝히고 있다. 또한 SE법을 통해 결정성과 전기특성이 우수한 Si 및 Ge 막의 형성이 가능하며 우수한 성능의 태양전지 제작이 가능하다는 점을 밝히고 있다.

 

○ 태양전지 시장은 현재까지 고효율과 오랜 역사를 바탕으로 결정 실리콘 태양전지가 주도하고 있는데 최근에 박막 태양전지가 대안으로 떠오르고 있다. 이 분야에서 다양한 제품이 개발되는 등 태양전지산업의 발전이 기대되고 있다. 차세대 태양전지로 주목 받고 있는 박막형 태양전지는 실리콘 웨이퍼가 아니라 기판을 활용하여 그 위에 실리콘 등의 재료를 박막으로 증착하는 방식이다.

 

○ 박막 태양전지 기술은 특히 실리콘의 양을 백 분의 일 수준으로 줄일 수 있고 유리, 금속, 플라스틱 등과 같은 저렴한 기판을 사용할 수 있으며 대형, 대량, 연속 생산이 가능하여 규모의 경제를 통한 경제성 확보에 유리하다는 평가를 얻고 있다. 또한 건축자재와 일체화된 태양광발전시스템이나 가전제품 등으로 응용을 확대할 수 있는 장점이 있어 더욱 성장 가능성이 높아지고 있다.

 

○ 박막 태양전지는 기판 증착물질에 따라 여러 종류로 나누어지는데 크게는 비정질 실리콘 태양전지, CdTe(카드뮴-텔루륨 화합물) 태양전지, CIGS(구리-인듐-갈륨-셀레늄 화합물) 태양전지, 염료감응형 태양전지 등으로 구분할 수 있다. 이 중에서 1980년대부터 실용화되기 시작한 a-Si 태양전지가 현재 시장을 주도하고 있다.

 

○ 최근에는 CdTe, CIGS 태양전지에 대한 연구가 활발하게 진행되어 관련 제품의 시장점유율이 점차 높아지고 있는데 우리나라의 포항공대, 울산과기대 등에서는 새로운 고분자 보조 층을 이용하는 태양전지 연구를 진행하여 광전변환효율을 비약적으로 높이고 있으며 향후 광범위하게 연구될 각종 재료에 대한 적용 가능성을 높이고 있다.

 

저자

Wenchang Yeh

자료유형

니즈학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

에너지

연도

2015

권(호)

66(3)

잡지명

化學工業

과학기술
표준분류

에너지

페이지

198~205

분석자

오*섭

분석물

• 스패터 퇴적법에 의한 Si Ge의 저온고속 에피택시 성장과 태양전지 응용.pdf [565,244 byte]

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