실리콘 유리 인터포저에의 도금기술

전문가 제언

○ 화학증착(CVD)법은 증기상태의 물질을 실리콘 웨이퍼 표면에 쌓이도록 하여 필요한 물질의 층을 얻는 기법이다. 이 기법은 고온상태에서 피도금물에 표면처리하기 때문에 금속재료에는 적합하지만 플라스틱이나 수지, 고무 등에는 소재에 열화학적 변형을 초래하기 때문에 적합하지 못하다. 또 기판의 미세 스루 홀, 오일파이프나 주사기 바늘 등, 굴곡지거나 꼬부라진 튜브 형상의 소재에는 표면처리에 한계성이 내재해 있다.

 

○ 습식 Cu전기도금은 PVD, CVD, 스퍼터링보다 기공(void)없이 균일한 도금이 가능하므로 신호고속송신에 유리하다. 2007년 일본 KIYOKAWA 도금산업 주식회사에서는 알루마이트 양극산화로 스루 홀 도금조건을 최적화하여 홀 직경 50㎛, 두께 400㎛의 TSV충전에 성공하였다. 이 회사는 염색회사에서 쌓은 경험을 토대로 미세 홀의 금속도금을 활용한 습식 아노다이징 개발에 적용하게 된 계기가 되었다.

 

○ 2015년 Asahi Glass 주식회사의 Yoichiro SATO는 반도체 실장기판에 필요한 Glass Interposer의 연구개발동향을 발표하였다. 이 표면처리 기술은 최근 몇 년간 급증하고 있는 차세대 스마트폰이나 태블릿 PC용 인터넷을 공유하는 클라우드에 억세스 할 수 있는 기판에 적용되고 있는 기술이다. Qualcomm의 예측에 의하면 수년 이내 공유하는 데이터 트랙이 1,000배 이상이 될 것으로 예측하고 있다. 기존의 건식법에 의한 TSV도금과 산알칼리 에칭방법으로써는 10㎛ 이하의 미세패턴이나 BVH(Blind Via Hole)을 형성하기란 불가능하였다.

 

○ 최근 반월공단의 뉴플렉스사는 습식 Cu 전기도금방법으로 직경 10㎛ 이하의 반도체 IC칩의 Via Hole 충전도금을 위한 RTR플렉시블 기판을 개발 중이다. 또, 국내 삼성전기에서는 Via Hole 바닥면에서 위로 충전해가는 Cu Damascene Via 충전기술도 적용하고 있다. 향후 균일도금 두께와 밀착성 확보를 위한 국내 도금현장에 Cu도금액 첨가제 개발을 위한 니즈기술정보 지원이 필수적이다. 이러한 습식 나노도금기술은 향후에는 휴대기기에 한정하지 않고 다양한 정보통신 네트워크 장비에도 적용될 것으로 사료된다.

저자

Yousuke HARUKI, et al,

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2015

권(호)

66(2)

잡지명

表面技術

과학기술
표준분류

재료

페이지

43~47

분석자

김*상

분석물

• 실리콘 유리 인터포저에의 도금기술.pdf [569,157 byte]

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