절연 브릿지를 이용한 전기도금기술

전문가 제언

○ 본 발명은 반도체 소자에 대한 구조와 제조방법에 관련된 것이다. 특히 반도체 웨이퍼에 대하여 절연 브릿지와 금속시드층에 대한 제조기술을 확립하고자 하였다. 특히 웨이퍼 단위의 칩-스케일 소자와 필립-칩 소자에 대한 절연 브릿지의 새로운 구조와 이에 대한 제조기술을 소개하였으므로 향후 반도체 소자의 제조에 관련된 기업체에 큰 도움이 될 것으로 사료된다.

 

○ 국내기술로 절연 브릿지를 이용한 전기도금기술을 확립하기 위해서는 절연브릿지의 두께, 적층방법, 재료(Polybenzoxazole, Benzocyclobutene, 폴리이미드, 질화실리콘, 이산화실리콘, 산질화실리콘 등), 절연브릿지의 형성방법(절연증착, 마스킹, 포토리소그래피, 에칭, 현상 등)에 대한 최적화시킬 수 있는 기술의 개발이 필요하다.

 

○ 금속시드층은 종래의 고진공 증착방법(예, 스퍼터링, 증발 등)으로 Au, Ti/Au, TiW/Au, Cu, Ti/Cu, W/Cu, TiW/Cu, Ti/Ni/Cu, Ti/Ni(V)/Cu, Al/Ni/Cu, Al/Ni(V)/Cu, Cr/Cu, Cr/Ni/Cu, Cr/Ni(V)/Cu 등의 전도성 금속들을 선정하여 증착할 수 있는데, 국내 기업체에서 반도체 소자에 대한 제조기술을 확립하기 위해서는 증착효율이 뛰어나고 경제적인 면을 고려한 최적의 재료선정과 함유량의 설정이 무엇보다 중요하다.

 

○ 최근 반도체 소자의 제조에 있어서 고품질, 고부가 가치를 높이는 연구가 활발하게 추진되고 있다. 일례로 일본에서는 새로운 표면실장 인터포저 반도체 부품의 습식 구리(Cu) 전기도금을 적용 중에 있으며, 기존의 스퍼터링 건식법을 대체해 오면서 나노 반도체 소자의 품질과 문제점을 개선하고 있다. 습식전기도금은 무전해 도금보다 첨가제 양을 적게 사용하면서 99.95% 이상의 고순도 Cu를 석출시킬 수 있는 유일한 핵심기술이며, 저가의 고품질, 고부가가치를 창출하였다. 본 자료는 이에 대한 참고자료가 될 수 있을 것이다.

 

○ 국내 중소기업체에서는 반도체 소자의 부품도금을 위한 전기도금기술(예, 절연 브릿지, 금속시드층, 습식도금기술)이 상당히 부족한 실정에 있으므로 향후 뿌리산업으로서 지속적인 기술지원과 육성이 필요하다.

저자

Flipchip International, LLC

자료유형

니즈특허정보

원문언어

영어

기업산업분류

재료

연도

2014

권(호)

WO20140209629

잡지명

PCT특허

과학기술
표준분류

재료

페이지

~27

분석자

유*천

분석물

• 절연 브릿지를 이용한 전기도금기술.pdf [428,924 byte]

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