미세회로 형성용 표면처리 기술

전문가 제언

○ 최근 정보통신기술의 신호전송 고속화와 함께 전자기기의 고밀도화를 위한 인쇄회로기판의 연구가 진행되고 있다. 인쇄회로기판은 스마트폰이나 반도체, 신호전송을 위한 정보통신용 기기에 핵심적으로 사용되는 재료이다. 해가 갈수록 경박 단소화 추세로 개발되고 있으며 최근 핀 간 2.5mm사이에서 나노미터 규모의 10라인 이상의 파인패턴 회로형성과 함께 전기도금에 의한 균일도금, 에칭기술이 개발되고 있다.

 

○ 신호를 고속으로 전송하기 위해서는 전송손실을 낮추거나 유전율？유전손실이 낮은 절연수지를 사용하여야 한다. 또, 회로로서는 표면저항이 낮은 균일하고 평탄한 동 회로를 사용하여야 한다. 동과 수지의 접착성의 향상도 필요하다. 접착성 향상을 위해서는 구리에 요철을 형성시키고 화학적인 결합력을 증가시켜야 한다. 그러나 국내에서는 화학적인 결합력 증가의 연구결과는 아직 상용화되지 않고 있다.

 

○ 2008년 일본의 Tomoaki YAMASHITA는 반도체 시스템 패키지 정보를 고속으로 전송하기 위한 고밀도 반도체 실장용 기판에 회로의 폭/간격의 비율이 10㎛/10㎛인 구리도금 기술을 발표하였다. 이 표면처리 기술은 제한된 공간에 다수의 반도체 칩을 탑재하기 위한 회로의 접착성 향상을 위한 전기도금 기술로 알려졌다. 탈지, 산세정의 전처리와 후처리로서 방청처리와 건조, 접착처리는 기존의 방법과 동일하였다. 18㎛ 전해처리 한 동박을 사용하였으며, 동 접착면의 박리강도를 평가하는 절연수지는 시아네이트 에스테르-에폭시 혼합수지와 시아네이트 에스테르 수지 및 벤조시클로 부텐 수지를 사용하였다.

 

○ 2001년 인천 남동공단의 ㈜하이텍에서는 동 표면을 산화처리 하여 동과 에폭시 수지의 접착력을 향상시키는 기술을 개발하였다. 이 기술은 기존의 침상의 흑색산화동(CuO, Black Oxide)이 생성밀도가 매우 낮아 불균일한 동 표면을 나타낸 접착력 감소를 보완 개선한 기술로 알려졌다. 0.2㎛ 이하의 균일한 미세요철을 형성한 갈색산화동(Cu2O, Brown Oxide)처리는 스크럿치 방지와 함께 드라이필름 밀착성도 뛰어난 산화처리기술로 알려졌다.

저자

Kazutaka TAJIMA

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2014

권(호)

65(8)

잡지명

表面技術

과학기술
표준분류

재료

페이지

357~362

분석자

김*상

분석물

• 미세회로 형성용 표면처리 기술.pdf [392,792 byte]

이미지변환중입니다.