CVD 방법에 의한 그래핀 제조법
- 전문가 제언
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○ 그래핀은 2차원 벌집모양의 탄소배열을 한 단일원자층 두께의 매우 얇고 거의 투명한 결정으로서 가볍지만 철강의 100배 강도를 가지며, 구리보다 100배의 많은 전류를 흐르게 할 수 있어 각종 센서와 메모리 등 기능성 소자 및 전자디바이스로 응용할 수 있다.
○ 그래핀 제조법은 1) 흑연결정으로부터 박리(exfoliation)에 의해 얻는 방법과, 2) 고온에서 탄소원자를 잘 흡착하는 전이금속(Ni, Cu 등) 촉매층 위에 탄소를 증착시켜 그래핀 결정을 합성하는 CVD(Chemical Vapor Depoition, 화학증기증착) 방법이 있다. 이 특허에서는 그래핀을 이용한 기능성 전자 및 광전자적 디바이스를 대형으로 제조하기 위해 CVD 방법에 의한 그래핀 제조법을 발명하였다.
○ CVD 방법에 의해 1,070℃에서 대형 단결정 그래핀 도메인을 형성하기 위해서는 핵형성(nucleation) 밀도를 감소시켜야 한다. 탄소원(CH4)을 석영관 반응로에 넣기 전에 Cu 포일을 순수 Ar가스 속에서 단시간 어닐링(annealing)하면 그래핀 도메인의 핵형성을 감소시킬 수 있다. 최적 성장조건에서 단일층 단결정 그래핀 도메인은 5mm 이상, AB적층(AB-stacked)인 2중층 그래핀 도메인은 300μm 이상 크기를 얻을 수 있었다.
○ 이 발명의 특징은 산업용 크기의 그래핀 필름(Cu 포일 크기 30인치) 제조공정을 개발할 수 있게 했으며, 대형 단결정 그래핀은 우수한 전기적 특성을 갖고 있어 고수율(yield)과 고재현성을 가진 그래핀 디바이스의 대형 집적회로를 만들 수 있는 길이 열렸다는 점이다.
○ Engineering Village에 들어가 Compendex에서 2001~2014년 기간의 ‘graphene growth'를 검색한 결과 국제학술지에 게재된 그래핀 성장관련 논문은 미국이 794건으로 1위이고, 중국 2위(775건), 일본 3위(334건), 한국 4위(297건), 독일 5위(193건)인 것으로 보아 한국은 그래핀 관련연구에서 세계적 수준으로서 이 발명이 국내에 미치는 영향은 크지 않다고 판단된다. 국내에서는 서울대, 성균관대, KAIST, 고려대, 연세대, 삼성전자, 기계연구원 등에서 그래핀 성장연구를 하고 있다.
- 저자
- The Regents of the University of California
- 자료유형
- 니즈특허정보
- 원문언어
- 영어
- 기업산업분류
- 재료
- 연도
- 2014
- 권(호)
- WO20140110170
- 잡지명
- Chemical Vapor Deposition Growth of Graphene
- 과학기술
표준분류 - 재료
- 페이지
- ~39
- 분석자
- 이*희
- 분석물
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