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첨단기술정보

실리카의 표면오염에 따른 접촉각변동

전문가 제언: 저자들은 높은 관심을 갖고 CO2/염수, 석영 접촉각에 대한 최근의 논란을 추적했고, 보다 일반적인 접촉화학이라는 관점과 저자들이 입수한 실험결과로써 최근의 논문(Bikkina, 2011, 2012; Mahadevan, 2012)에 대해 논평하고자 한다. 핵심적인 포인트로서, 저자들은 발표된 접촉각 데이터의 큰 확대 즉 실리카 기판의 표면오염에 대한 이유를 제시한다. 저자들은 이러한 오염이 관찰된 접촉각 θ에 가장 큰 영향을 준다는 것을 증명한다.

7에서 92℃에 이르는 θ가 보고되어왔고, 이러한 변동에 대한 분명한 설명이 없었다. 296~396K의 시험온도, 0~40 MPa의 시험압력과 0~7M 로 시험된 NaCl농도 등의 물리, 화학적인 매개변수가 분명하게 어떤 추세선(trendline)을 보이지 않았고, 큰 변동을 설명할 수 없었다. 저자들의 의견으로는, 이러한 불확설성에 대한 중요한 이유는 기판오염이고, 저자들은 다음과 같이 이 주장을 실체화했다.