16kV급 초고내전압 SiC IE-IGBT의 개발

전문가 제언

실리콘 카바이드(SiC)는 밴드 갭이 실리콘(Si)보다 3배 크고, 절연파괴 전계가 10배이기 때문에 전력소자에 응용할 경우, 동일소자 구조인 종래의 Si소자보다 2배 높은 내전압을 얻을 수 있다. 이 SiC전력소자를 종래의 Si-절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT; Insulated gate bipolar transistor)와 대체함으로써 전력전자 기기의 대폭적인 소형화와 저손실화가 기대되고 있다.

 

IGBT구조를 SiC에 적용하면 Si에는 도달할 수 없는 10㎸ 이상의 스위칭 소자 제공이 가능하다. 초고내전압 스위칭 소자의 실현에 의해 재생 에너지를 대량으로 도입할 때 스마트 그리드에서 이용되는 지능형 전력 스위치나 직류송전(HVDC; High-Voltage, Direct Current) 기기에 응용한다. 차단기나 대용량 트랜지스터의 반도체화에 의한 고신뢰화, 소형 경량화가 기대되어 에너지 절약기술에 기여가 매우 클 것으로 사료된다.

저자

Yoshiyuki Yonezawa

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2014

권(호)

62(3)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

재료

페이지

36~39

분석자

이*용

분석물

• 16kV급 초고내전압 SiC IE-IGBT의 개발.pdf [291,556 byte]

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