SiC 단결정 내부 전위의 광 발광 영상측정

전문가 제언

승화법으로 성장시켜서 얻은 현재 시판중인 4H-SiC기판은 102~103cm-2의 c축 방향으로 전파하는 관통 나선전위(TSD; Threading Screw Dislocation), 103~104cm-2의 기저면내를 전파하는 기저면 전위(BPD; Basal Plane Dislocation)가 내포되어 있다. 이들의 전위는 결정축에 따라서 성장할 때에 결정축의 막내부에 전파하여 계승되지만, 일부는 기판과 결정축에 따르는 막의 계면 근방에서 전파하는 방향이 변화하는 것으로 알려져 있다.

 

결정축에 따라서 설장할 때에 전위나 적층결함이 새롭게 도입되는 것도 있다. 이들의 결정축의 막내부에 존재하는 확장결함의 대부분은 소자의 전기적 성능에 다양한 영향을 미치기 때문에 이들 확장결함의 검출과 식별의 수단이나 제어기법을 얻는 것이 중요하다. 여기에서는 광 발광(PL; photoluminescence) 영상을 이용하여 4H-SiC결정 막내부의 전위검출, 판별, 거동해석을 실시한 결과에 관하여 기술하였다.

 

저자

Masahiro Nagano

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2014

권(호)

62(3)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

재료

페이지

32~35

분석자

이*용

분석물

• SiC 단결정 내부 전위의 광 발광 영상측정.pdf [241,176 byte]

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