박막 AZO 버퍼층에 의한 PLZT 강유전 커패시터의 신뢰성 개선

전문가 제언

FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)은 빠른 액세스 타임, 비휘발성 및 저에너지소비 때문에 가장 유망한 소자 중의 하나이다. FeRAM은 기존 EPROM 또는 플래시 메모리보다 더 빠른 읽기/쓰기 속도를 가져서 모바일 디바이스에 매우 적합하다. 더구나 저 전압동작과 높은 보안성의 장점을 갖고 있다. 현재 FeRAM에 사용되는 전형적인 강유전 재료는 PZT(Pb(Zr,Ti)O3), SBT(SrBi2Ta2O9) 및 BLT(Bi3.25La0.75Ti3O12)이다. 여러 강유전 재료 중에 PZT는 큰 잔여분극과 고신뢰성 때문에 가장 유망한 것 중의 하나이다.

문제점은 플라즈마 처리 및 고온처리에 의한 강유전특성의 열화인데, 특별히 반도체 집적 프로세스에서 수소분위기와 반복적인 스위칭 주기에 의한 피로현상이다. 그런데 PLZT(PbLaZrTiOx) 커패시터가 이런 문제점을 최소화 하는데, 이 글에서는 이 커패시터에 대하여 기술한다.

 

저자

Y. Takada, et al.

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2014

권(호)

50(11)

잡지명

Electronics Letters

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

799~801

분석자

박*준

분석물

• 박막 AZO 버퍼층에 의한 PLZT 강유전 커패시터의 신뢰성 개선.pdf [237,540 byte]

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