내 신청현황
종류	모집공고명	진행상태
신청내용이 없습니다.

첨단기술정보

포화자속밀도가 높고 고주파 철 손실이 낮은 Si 경사자성재료 JNSF의 개발

전문가 제언: 반도체 스위치에 의해 전력을 제어하는 파워 일렉트로닉스 분야에서 전원을 소형화, 고효율화 하기 위한 고주파화가 되어 현재 태양광 발전의 전력조절기나 하이브리드 차에서와 같이 수 k∼수 10kW 급의 중용량 전원에서는 10k∼20kHz에서, 메가솔라 등의 수 100kW∼수 MW 급의 대용량 전원에서도 수 kHz로 구동 된다. 최근에 보다 높은 전압, 고주파에서 구동 가능한 SIC 파워 반도체 양산기술도 확립되어서 스위칭 주파수가 한층 더 고주파화 될 것으로 예상된다. 파워 일렉트로닉스 기술 발전에 따라 리액터 등의 전원 부품에도 더욱 고성능화가 요구되고 있다.

6.5%Si 강판은 연자기 특성이 우수한 전자강판이지만, 단단하고 취약하기 때문에 압연공정으로 제조하기 곤란하다. 얇은 강판을 마무리 압연 후에 CVD법으로 Si을 연속 침입시키는 공정이 개발되어 6.5% Si강판을 공업적으로 생산할 수 있게 되었다. 6.5% Si강판은 고유저항이 3% Si강판에 비해 약 2배이고, 와전류가 흐르기 곤란하여 발열이 잘 안됨으로 고주파 용도의 코어재료로 우수한 반면, 일반적 전자강판에 비하여 포화자속밀도가 낮다는 과제가 있다.