스핀트로닉스 논리 집적 회로의 실현을 위한 3단자 자기 구역 벽 이동 소자의 개발

전문가 제언

다년간에 걸쳐서 비약적인 성장을 계속하고, 고도한 정보화 사회의 원줄기를 담당해 온 반도체 논리집적 회로가 전환기를 맞이하고 있다. 논리집적 회로가 지금까지의 발전을 이룰 수 있었던 것은 구성소자의 미세화에 의한 처리능력과 낮은 소비전력 특성은 크게 지수적인 향상에 의한 바가 크다.

 

그러나 최근 비약적인 성장 사이클의 한계가 보이기 시작하고 있다. 현재의 논리집적 회로에서는 정보의 연산을 지휘하는 로직부와 기억을 지휘하는 메모리부가 동일평면에 설치되어 배선전체에 연결되어 있다. 메모리부에서는 SRAM(Static Random-Access Memory)과 DRAM(Dynamic Random-Access Memory) 등의 비휘발성메모리가 사용되고 있어 대기시간인 비동작시에도 정보유지를 위하여 전원은 공급을 계속하고 있다.

 

최근 미세화 진행에 따른 금속 산화막 반도체(MOS; Metal Oxide Semiconductor)트랜지스터의 누설전류의 증대에 의한 대기시의 소비전력증가가 심각해지고 있다. 배선수의 증대에 따른 전보전송시의 배선에서 충？방전에 의한 전력소비나 전송지연에 의한 처리속도 향상의 포화문제도 두드러지고 있다. 이와 같은 문제를 해결하는 유망한 수단의 하나가 스핀전자공학인 스핀트로닉스(spintronics) 논리집적회로의 적용이다. 여기에서는 스핀트로닉스 논리집적회로에의 적용을 목표로 하여 Tohoku대학의 Shunsuke Fukami 등의 연구그룹이 개발하고 있는 3단자 자벽이동소자의 동작원리나 특징 및 최근의 연구 성과를 소개하였다.

저자

Shunsuke Fukami

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2014

권(호)

62(1)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

재료

페이지

32~33

분석자

김*상

분석물

• 스핀트로닉스 논리 집적 회로의 실현을 위한 3단자 자기 구역 벽 이동 소자의 개발.pdf [300,034 byte]

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