나노 임프린트 법에 의한 분자 배향한 3차원 구조 액정 디바이스 제작을 위해

전문가 제언

현재의 생활에 있어서 반도체 소자는 없어서는 안 될 존재이며, 성능향상과 함께 생활에 있어서 편리성이 비약적으로 향상했다. 이 반도체 소자제조에 있어서 불가결한 기술이 감광리소그래피(Photo-lithography)나 전자빔 리소그래피(EBL; Electron Beam Lithography)로 대표된 미세가공기술이다. 이 미세가공기술의 하나로서 나노 임프린트 리소그래피(NIL; Nano Imprint Lithography)라는 새로운 기술이 알려져 있다.

 

나노 임프린트 리소그래피(NIL) 기술은 1995년에 미국 프린스턴 대학의 Chou교수가 제안한 기술이며, 미세패턴을 갖는 금형(mold)을 수지(resist)로써 강제로 눌러써 미세패턴을 제조하는 것이다. 나노 임프린트 리소그래피(NIL) 제조공정은 매우 간편한 공정임에도 불구하고, 10nm사이즈의 패턴을 용이하게 제조가능 하기 때문에 극단의 자외광 리소그래피나 블록 공중합체 리소그래피와 함께 차세대 리소그래피의 하나로서 발전해 왔다.

 

저자

Makoto Okada

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2014

권(호)

62(1)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

재료

페이지

46~47

분석자

김*상

분석물

• 나노 임프린트 법에 의한 분자 배향한 3차원 구조 액정 디바이스 제작을 위해.pdf [261,821 byte]

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