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첨단기술정보

화합물 반도체 무어의 법칙 유지를 위한 경쟁에 뛰어들다

전문가 제언: Imec와 IBM 엔지니어는 향후 10년간 선도하는 칩을 만들기 위한 새로운 프로세스를 독립적으로 개발하고 지난해 말 공개하였다. 이러한 노력은 실리콘 웨이퍼와 고전 주기율표의 III족과 V족의 화합물 반도체 재료인 특정 희귀 재료와의 결합을 허용할 것이다. 이 재료의 혼합은 트랜지스터 크기 축소와 무어의 법칙과 관련된 전통적인 성능향상을 유지하기 위한 열쇠를 보유하고 있다.

Imec와 IBM는 III-V 반도체 인듐 갈륨비소로 고효율 트랜지스터를 구축하였다. 전자는 실리콘을 통해 6배 빨리 이 재료를 통하여 나아 갈 수 있다. 이 속도 덕분에 흐르는 전류량을 유지하고 그로 인하여 전력소비를 절감하면서 트랜지스터의 동작 전압을 삭감할 수 있다. 벨기에 루븐에 있는 Imec 엔지니어들은 업계 표준 300밀리 실리콘 웨이퍼에서 핀 모양의 전계효과 트랜지스터를 형성했다고 11월 최초로 그들의 진전을 밝혔다.