염산염 전해에 의한 반도체 알칼리 세정액 생성

전문가 제언

반도체 세정액으로 레지스트(감광성 수지) 등의 유기물질 제거에는 H2O2와 황산(H2SO4)을 혼합한 황산과수(SPM)가 주로 사용되고 있다. 또한 금속 제거에는 H2O2와 염산(HCl)의 혼합수용액(SC2 : Standard Clean 2)을 사용하고, 입자 제거에는 H2O2와 암모니아의 혼합수용액(SC1)이 주로 사용되고 있다. 이들과 실리콘(Si) 웨이퍼 표면에서 자연적으로 형성되는 산화 막을 제거하는 DHF를 조합하여 순차적으로 세척함으로써 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거할 수 있다.

 

최근 반도체 디바이스의 미세화 및 고성능화가 진행되어 웨이퍼 표면의 오염량을 줄이는 것이 중요해지고 있다. 또한 환경과 비용 측면에서 세정액 사용량 저감도 요구되고 있다. 따라서 지금까지의 세정액보다 높은 세정 성능으로 환경부하를 저감할 수 있는 세정액의 개발이 요구된다.

저자

Hirakawa Masaaki

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

화학·화공

연도

2014

권(호)

69(5)

잡지명

東芝レビュ-

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

58~59

분석자

홍*철

분석물

• 염산염 전해에 의한 반도체 알칼리 세정액 생성.pdf [239,469 byte]

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