분리 가능한 박막제조
- 전문가 제언
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○ 본 발명은 두 종류 이상의 금속 합금을 기판에 박막으로 성장시키는 기술이다. 합금은 IIB-VIA족 원소의 결합으로 만들어진다. 이들 합금화합물 반도체는 오래전부터 꾸준히 연구가 진행되어 왔다. 양질의 박막(에피택시) 층을 얻기 위하여 기판의 격자 정수와 박막의 격자정수를 Vegnard의 법칙에 근접하게 일치시킬 필요가 있다.
○ II-VI족 반도체에는 전도형 제어가 매우 어렵다. 전에는 전류를 주입하는 레이저 발진기술이 없었다. 그래서 ZnSSe계열 박막에 탄소의 양을 고단위(1019/㎤)로 첨가하여 p-형 반도체 제조가 가능하게 되었다. pn접합에 의하여 508~535㎚ 파장의 청록색 레이저가 실현하게 되었고, 그 로부터 화합물 반도체에 의하여 청~녹색 레이저 개발이 활성화되었다.
○ 원소의 전자배열을 참고하면 각종 반도체의 개발 가능성을 예측할 수 있다. 금(4f14 5d10 6s1), 은(4d10 5s1), 동(3d10 4s1)은 전기전도도가 매우 좋은 금속이다. 이들 금속은 공히 s궤도에 전자가 1개로 채워져 있다. p, d, f궤도에는 전자가 없고, 전자를 수용할 수 있는 정공(hole)만 존재하기 때문에 전자이동이 원활하다.
○ II-VI족 금속의 전자배열은 Cd(4d10 4s2), Te(4d10 5s2 5p4)이다. 금, 은, 동의 전자배열과 다른 점은 p, d, f 궤도에 전자를 수용할 수 있는 능력은 Au, Ag, Cu보다 떨어진다. 그래서 II-VI족 금속은 반도체로 머문다. II-VI족 금속을 기판에 증착하여 반도체박막을 기판에서 분리하는 기술은 성장 반응로의 적절한 온도에서만 가능하다.
- 저자
- Jovanovic, Stephen Michael et al.
- 자료유형
- 특허정보
- 원문언어
- 영어
- 기업산업분류
- 화학·화공
- 연도
- 2014
- 권(호)
- WO20140026292
- 잡지명
- WIPO/PCT
- 과학기술
표준분류 - 화학·화공
- 페이지
- ~38
- 분석자
- 박*학
- 분석물
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