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분리 가능한 박막제조

전문가 제언

본 발명은 두 종류 이상의 금속 합금을 기판에 박막으로 성장시키는 기술이다. 합금은 IIB-VIA족 원소의 결합으로 만들어진다. 이들 합금화합물 반도체는 오래전부터 꾸준히 연구가 진행되어 왔다. 양질의 박막(에피택시) 층을 얻기 위하여 기판의 격자 정수와 박막의 격자정수를 Vegnard의 법칙에 근접하게 일치시킬 필요가 있다.

 

II-VI족 반도체에는 전도형 제어가 매우 어렵다. 전에는 전류를 주입하는 레이저 발진기술이 없었다. 그래서 ZnSSe계열 박막에 탄소의 양을 고단위(1019/㎤)로 첨가하여 p-형 반도체 제조가 가능하게 되었다. pn접합에 의하여 508~535㎚ 파장의 청록색 레이저가 실현하게 되었고, 그 로부터 화합물 반도체에 의하여 청~녹색 레이저 개발이 활성화되었다.

 

원소의 전자배열을 참고하면 각종 반도체의 개발 가능성을 예측할 수 있다. 금(4f14 5d10 6s1), 은(4d10 5s1), 동(3d10 4s1)은 전기전도도가 매우 좋은 금속이다. 이들 금속은 공히 s궤도에 전자가 1개로 채워져 있다. p, d, f궤도에는 전자가 없고, 전자를 수용할 수 있는 정공(hole)만 존재하기 때문에 전자이동이 원활하다.

 

II-VI족 금속의 전자배열은 Cd(4d10 4s2), Te(4d10 5s2 5p4)이다. 금, 은, 동의 전자배열과 다른 점은 p, d, f 궤도에 전자를 수용할 수 있는 능력은 Au, Ag, Cu보다 떨어진다. 그래서 II-VI족 금속은 반도체로 머문다. II-VI족 금속을 기판에 증착하여 반도체박막을 기판에서 분리하는 기술은 성장 반응로의 적절한 온도에서만 가능하다.

 

저자
Jovanovic, Stephen Michael et al.
자료유형
특허정보
원문언어
영어
기업산업분류
화학·화공
연도
2014
권(호)
WO20140026292
잡지명
WIPO/PCT
과학기술
표준분류
화학·화공
페이지
~38
분석자
박*학
분석물
담당부서 담당자 연락처
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