수용액 반응을 이용한 나노구조 다공질 전극의 제조

전문가 제언

다공질 실리콘은 1956년에 Bell연구소의 Uhlir가 p형 실리콘 전해연마처리를 불산 수용액에서 실시할 때 발견되었으며, 양극산화 반응을 이용하여 다공질 실리콘을 제조할 수 있었다. 이에 다공질 실리콘은 매우 큰 비표면적을 갖고, 표면의 활성이 높기 때문에 다양한 응용이 검토되어 왔다.

 

실리콘은 표면이 산화되기 쉽기 때문에 대규모 집적회로(LSI; Large Scale Integrated circuit) 소자간의 절연재료나 미세 홀 속에 금속을 석출시켜서 금속/반도체 복합체에의 이용도 고안되었다. 이후, 1984년에 Pickering에 의하여 다공질 실리콘에 자외선을 조사하면 가시광선 영역에서 발광한다는 사실이 발견되었다. 실리콘 밴드 갭은 간접 천이형이며, 갭의 크기가 1.1eV이기 때문에 근적외선 영역의 광에 감응하고, 가시영역 발광을 얻기란 불가능하다고 생각되었다. 반면에 다공질 실리콘은 적색에서부터 녹색영역까지 가시 광 발광(photo luminescence)한다는 사실이 알려지고 있다.

저자

Minoru Mizuhata

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2014

권(호)

62(1)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

재료

페이지

44~45

분석자

이*용

분석물

• 수용액 반응을 이용한 나노구조 다공질 전극의 제조.pdf [277,449 byte]

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