에피택시기술이 가져온 LED 고성능화

전문가 제언

현재 발광다이오드(Light Emitting Diode: LED)라 하면 백색 LED를 의미하며 청색 LED와 황색형광체를 합한 백색 LED가 일반적으로 보급되었다. 백색 LED의 상품화로 조명, 액정 TV, 모니터 백라이트, 자동차 헤드라이트, 가로등에 이용되어 생활의 필수품이 되었다. 본 논문은 GaN계 반도체를 이용해서 저온추적완충층기술(low temperature sedimentation buffer layer technology), 전도도제어기술, 액정제작기술, 가공기판의 상부에 성장기술 등의 에피택시(epitaxy)기술의 발전에서 청색 LED, 백색 LED의 효율개선에 대해서 소개한다.

 

GaN계 반도체로 불리는 AlxGayIn1-x-yN 반도체의 특징은 다음 3가지이다. 첫째 전 조성영역에서 직접천이형 밴드구조이며 대단히 발광효율이 높다. 둘째, 실온의 밴드 갭이 InN의 0.5eV에서 AlN의 6.2eV까지이며 가시광선 전 영역뿐만 아니라 적외선부터 진공자외선까지 광자가 방출된다. 셋째, 불순물(dopant)로서 Si과 Mg.로 충분하므로 GaAs계와 ZnSe계 등의 재료와 다르게 유해불질을 포함하지 않는 우수한 재료이며 결정적으로 대단히 안정되다.

저자

成川 幸男

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2013

권(호)

82(6)

잡지명

應用物理

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

514~517

분석자

박*식

분석물

• 에피택시 기술이 가져온　LED의　고성능화.pdf [281,301 byte]

이미지변환중입니다.