대구경 SiC 웨이퍼 가공기술 개발

전문가 제언

○ 일본 정부는 2010년에 5개년계획으로 6in 대구경 SiC 웨이퍼의 개발과 고내압？고성능 SiC 파워 디바이스의 개발 및 실증연구를 통합한 국가R&D 프로젝트(NEDO 프로젝트)를 출범시켰다. 산업기술종합연구소가 총괄하고 산학연이 공동으로 추진하고 있는 이 연구개발 사업은 금년에 양산화 기술개발까지 진행된다.

 

○ SiC 재료의 특성과 장점은 post-Si 반도체시대를 기대하게 한다. 그 배경의 하나가 6in라는 대구경 SiC 웨이퍼의 등장이다. 이미 NEDO 프로젝트의 성과로 2012년 6in의 개발？시판이 발표된 바 있다. 2013년에는 Si으로서는 불가능한 15kV 이상급 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor: 절연게이트 쌍극성 트랜지스터) 소자 실현이 발표되었다.

 

○ 이 해설자료는 이 NEDO 프로젝트에서 고속, 고품질가공을 실현하는 대구경 웨이퍼의 일관가공 프로세스 개발을 중심으로 지금까지의 연구경과와 성과, 대구경 SiC 웨이퍼 가공기술의 미래를 설명한다. 종래의 기술로 5일 걸리는 6in 웨이퍼 가공을 24시간 이내에 완성하는 것이 목표로 이미 이 타깃을 달성한 것으로 기술했다.

 

○ SiC는 Si보다 절연파괴 전기장이 약 10배 크다. 앞으로 전반적으로 볼 때 Si 웨이퍼시장은 성장이 저조하거나 감소하는 반면 파워일렉트로닉스의 핵심인 SiC 웨이퍼시장은 꾸준한 성장을 예상했다(KISTI 미리안 글로벌동향브리핑, 2013.4) 국내에서도 2009년 정부의 미래핵심소재 전략인 WPM(World Premier Materials) 프로그램에 SiC를 반영하여 연구가 추진되어 왔으나 산업적 응용의 성과는 저조한 상황이다.

 

○ 대구경 SiC 웨이퍼개발에서 일본의 NEDO 프로젝트는 이미 기초연구의 개발 위에 요소기술의 응용연구와 상용화를 전제로 한 산학연의 역할분담과 프로젝트 총괄연구기관(산총연)의 통합역할 및 리더십이 분명해 보인다. 국내에는 아직 SiC 웨이퍼개발 연구가 없으나 앞으로 이의 개발을 위해 세계를 리드하는 연구성과를 창출한 프로젝트 기획과 운용시스템을 배울 필요가 있다.

저자

KATO Tomohisa

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

정밀기계

연도

2014

권(호)

80(1)

잡지명

精密工學會誌

과학기술
표준분류

정밀기계

페이지

18~22

분석자

박*선

분석물

• 대구경 SiC 웨이퍼 가공기술 개발.pdf [341,548 byte]

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