전석 Cu피막의 실온 연화

전문가 제언

○ 일렉트로닉스 분야에서는 디바이스의 기능이 고도화되면서 고집적화와 미세화가 더욱 요구됨에 따라 전자기기의 개발은 소형, 경량화, 다기능화의 방향으로 급속히 전개되고 있다. 현재 대규모 집적회로, Si 기판위에 미세가공기술을 사용해서 대량의 미세한 소자들의 내부배선 형성, 프린트 배선기판 through-hole plating 등에 사용되고 있는 폴리머, 광택제, 안정제로 분류된 각종 첨가제를 병용 첨가한 황산동 욕을 이용한 전기도금의 개발이 중요하다.

 

○ 황산동 도금욕 조성은 CuSO4와 H2SO4 혼합용액에 thiourea를 첨가한 것과 Cu(BF4)2와 HBF4, CuSO4와 Na4P2O7 및 Na2HPO4 등이 혼합된 전해욕 등이 있다. 현재 황산동과 황산이 혼합된 용액에 Ethylene diamine, (NH4)2SO4, Glycine, Thiodiglycolic acid 등을 첨가하는 전석법이 발전하여 광택 Cu 전석피막을 얻는 기술로 발전되었다.

 

○ Ethylene diamine 차체욕에 도금 시에 광택제 Thiodiglycolic acid를 약간 첨가할 경우, 피막 A는 무광택이고 취성피막으로 형성되며 배향성이 없으나 피막 B는 광택이 있고 연성이 우수한 것은 피막 A보다 불순물이 작게 포함된 결과인데 동일한 욕조성에서 광택제 첨가만으로 물성 차이가 발생기하는 것에 대한 연구가 필요하다고 생각된다.

○ 광택 황산동욕에서 생성된 전석 Cu 피막은 10㎚의 보이드가 다수 발생하나 실온에서 시간이 경과한 후에 결정립경이 커지고 입계 3중점에서 보이드가 70㎚로 크게 되었다. 어떠한 첨가제를 사용하여도 전석 Cu 피막에 보이드가 발생하지 않도록 하는 도금법의 개발이 필요하다.

 

○ 우리나라의 전자공업분야가 첨단화되면서 디바이스 기능이 고도화되고 이에 따라 도금기술도 향상되고 있다. 특히 유기물 첨가에 의한 도금기술은 회사마다 경험적 기술이 있기 때문에 전석 Cu피막의 성능이 차이가 있을 수 있다. 산학연이 협력하여 더욱 우수한 도금법을 개발하기 바라는 바이다.

저자

Hidemi NAWAFUNE

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2014

권(호)

65(3)

잡지명

表面技術

과학기술
표준분류

재료

페이지

129~134

분석자

황*길

분석물

• 전석 Cu피막의 실온 연화.pdf [320,222 byte]

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