계면으로부터 유기하는 박막 중의 반도체 고분자사슬의 수직배향
- 전문가 제언
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고분자 재료는 분자의 1차원적인 구조에 기인하는 박막 중의 고분자 사슬의 배향에 따라서 광학적 및 전기적 특성이 크게 변화한다. 예를 들면, 반도체 고분자를 이용한 유기전계효과 트랜지스터의 경우에는 주사슬이 기판에 대해서 평행이고, π평면이 기판에 대해서 수직으로 배향한 에지-온(edge-on) 배향이 유리하다. 한편, 유기박막 태양전지 등에서는 전하의 수송방향이 박막에 대해서 수직으로 있기 때문에 주사슬의 평행배향이나 π평면도 기판에 대해서 똑같이 평행으로 배향한 페이스-온(face-on) 배향이 유리하다.
또 하나의 가능한 배향으로는 고분자 주사슬이 기판에 대해서 수직으로 배향한 엔드-온(end-on) 배향이 있다. 그러나 고분자 사슬을 박막 중에서 기판에 대해 수직방향으로 배향시키는 것은 용이하지 않다. 기판으로부터의 고분자 브러시를 이용하는 방법이나 나노임프린트법, 나노구조를 주형(template)으로서 이용하는 방법 등이 보고되고 있지만 자기조직화에 의해서 박막 전체의 배향을 엔드-온 배향으로 제어하는 것은 실현하기 어렵다. 이 배향을 박막 중에서 가능하게 하는 방법이 개발되면 많은 유기전자 디바이스에 적용할 수 있는 가능성이 크다.
- 저자
- K. Tajima
- 자료유형
- 연구단신
- 원문언어
- 일어
- 기업산업분류
- 화학·화공
- 연도
- 2014
- 권(호)
- 63(2)
- 잡지명
- 高分子
- 과학기술
표준분류 - 화학·화공
- 페이지
- 108~109
- 분석자
- 황*일
- 분석물
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