3차원 메모리

전문가 제언

-칩 스테이킹(staking)과 트랜지스터 재설계를 이용하여 메모리를 더욱 작고 빠르게 구현할 수 있다. 속도와 저장 공간이 우수한 3차원 메모리가 칩 산업에 스스히 스며들면서 인텔사는 2011년 트랜지스터를 이용한 연산 칩을 개발하였으며 동시에 많은 메모리 제조사도 참여하고 있다.

 

-플래시 메모리는 개발된 지 25년이 되는 2012년부터 전성시대를 맞고 있다. 나노급 공정의 도입으로 데이터를 저장하는 셀 간 간격이 좁아져 전자가 누설되고, 데이터 왜곡변화가 증가되어 기존 미세화 기술은 물리적 한계에 도달하였다. 이것을 해결하기 위하여 메모리의 3차원 형상화가 제안되었다.

 

-삼성은 지난해 8월 128 GB 수직형 NAND 플래시 메모리를 세계 최초로 개발하였다. 이것은 기존 2차원 CTF(Charge Trap Flash)기술을 입체 기술로 발전시킨 것으로 전하를 안정적인 부도체에 저장해 셀 간 간섭을 대폭 줄인다.

 

-또 다른 3차원 메모리 기술은 HMC(Hybrid Memory cube)기술로서 최근 제안되고 있으며 이것은 저장요구 보다는 컴퓨터 메모리에 초점을 맞추며 기존의 DRAM 보다 밀집하지도, 작지고, 싸지도 않지만 속도는 매우 빠르다.

저자

Rachel Courtland

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2014

권(호)

51(1)

잡지명

IEEE spectrum

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

60~61

분석자

조*래

분석물

• 3차원 메모리.pdf [228,242 byte]

이미지변환중입니다.