MONOS 형 NAND플래시메모리의 신뢰성평가기술과 메모리설계지침

전문가 제언

MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)형 메모리가 차세대이후의 NAND 플래시메모리 기술의 하나로 연구 개발되고 있다. MONOS형 메모리는 절연성 막을 적층한 단순한 구조 때문에 현재의 NAND 플래시 메모리를 구성하는 부유게이트 형 메모리보다도 미세화나 3차원화가 용이하다. MONOS 형 메모리 셀은 기존 부유게이트 형 메모리 셀과 같이 터널 막을 통해 전하축적 층에 전하를 출입시켜 데이터의 써넣기와 지우기를 한다. 데이터 써넣기 상태는 전하축적 층에 전자를 축적한 상태이고, 지우기 상태는 전자가 축적되어 있지 않은 상태이다.

저자

Fuji Shosuke, et al.

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2014

권(호)

69(1)

잡지명

東芝レビュ-

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

39~42

분석자

박*준

분석물

• MONOS 형 NAND플래시메모리의 신뢰성평가기술과 메모리설계지침.pdf [241,645 byte]

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