SI 건식에칭을 위한 HBr 플라스마진단기술

전문가 제언

최근 반도체소자는 고기능 및 저비용을 목표로 하여 공정이 복잡하고 미세화하여 개발이 어려워지고 있다. 공정개발에 있어서 플라스마상태나 에칭기구를 이해하는 것은 공정개발에 중요하다. SiO2나 SiN의 가공에 쓰이는 CF(불화탄소)계 플라스마 에칭기구에 대하여는 많은 연구가 보고되고 있지만, Si의 건식에칭공정에 쓰이는 HBr(불화수소) 플라스마의 활성종(radical)의 공정조건 의존성이나 그 에칭특성에 미치는 영향에 관한 보고서는 적어서 에칭기구의 해명에 대한 현상이해가 이루어지지 않고 있다. Toshiba는 학계와 공동으로 Si와 에칭반응을 일으키는 불소(Br)라디칼의 밀도측정법을 개발하였다.

저자

Nojiri Yasuhiro, et al.

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2014

권(호)

69(2)

잡지명

東芝レビュ-

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

41~44

분석자

박*준

분석물

• SI 건식에칭을 위한 HBr 플라스마진단기술.pdf [239,904 byte]

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