실리콘 의 정제방법

전문가 제언

○ 반도체 재료라고 하는 것은 유리와 같은 절연체와 전기를 잘 통하는 금속과 같은 도전체의 중간에 위치하는 물질을 말한다. 반도체의 전기저항은 10-4~108Ωcm의 넓은 범위의 저항률을 가지고 있다. 우리가 쉽게 알 수 있는 물질로 니크롬, 수은, 흑연, 게르마늄, 셀렌, 실리콘, 그리고 증류수 등을 들 수 있다.

 

○ 일상 사용하는 반도체란 말은 재료라는 뜻이 아니고 반도체 소자를 말한다. 이 소자를 가지고 대규모로 집적화한 초집적회로(Very Large Scale Integration; VLSI)를 지칭하는 경우가 많다. VLSI를 구성하는 반도체재료는 오늘날 거의 실리콘이다. 다이오드, 트랜지스터 등을 꼽을 수 있다.

 

○ 고순도로 정제한 Si재료라 하드라도 정제방법에 의하여 다소의 차이는 있지만 O가 1015~1018개/cc, C가 1014~1017개/cc, 그리고 B가 1011~1014개/cc가 포함되어 있다. 현재 기술로는 아무리 고순도로 정제한 것도 1015개, 1014개, 1011개의 O, C, B를 포함하고 있다. 그런데 반도체 Si에는 B, P, Sb를 주 첨가제(dopant)로 사용하여 전기전도도를 제어한다.

 

○ 실리콘에 함유되어 있는 B, P를 제거하는 기술을 소개한 것으로 보면 폐기한 실리콘을 활용할 목적으로 개발한 것으로 보인다. Si에 포함된 B와 P는 금속과 알칼리성 융제가 있는 곳에서 이온화할 것으로 미리 착안하여 수행한 매우 드물게 보는 연구과제이다. 대 부분의 Si정제는 재결정 공법으로 끝난다.

저자

Mancini, Paul A..

자료유형

특허정보

원문언어

영어

기업산업분류

화학·화공

연도

2014

권(호)

WO20140004434

잡지명

Method of purifying siliconn

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

~36

분석자

박*학

분석물

• 실리콘 결정의 정제방법.pdf [268,528 byte]

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