플라스마씨브이디산화막에 있어서의 계면제어기술

전문가 제언

반도체디바이스는 고집적화 저비용화를 목적으로 지금까지 2차원적인 미세화가 추진되고 있었다. 최근 미세화가 물리적으로 한계에 다다름에 따라, 디바이스를 3차원으로 적층하는 기술개발이 진행되고 있다. 3차원디바이스는 금속배선 형성 후, Si위에 게이트 절연막으로, 전자를 포획하는 결함이 적은 Si산화막을 형성할 필요가 있다.

저자

Kawashima Tomihito

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

정보통신

연도

2014

권(호)

69(1)

잡지명

東芝レビュ-

과학기술
표준분류

정보통신

페이지

60~61

분석자

김*우

분석물

• 플라스마 씨브이디 산화막에서의 계면제어기술.pdf [3,125,062 byte]

이미지변환중입니다.