리빙 음이온 중합에 기초한 미세가공 지향 유도 자기조직화 기술의 개발

전문가 제언

반도체 업계에서는 Moore의 법칙을 근거하여 설정된 국제반도체기술 로드 맵(ITRS)에 따라 미세화를 추진하고 있다. 현재 주류인 ArF 액침 노광에 있어서 싱글 노광으로는 선폭 하프피치(hp) 38㎚가 한계이며, 더블 노광이나 측벽 프로세스 등의 특수 프로세스와 조합시켜도 하프피치 19㎚를 경계로 큰 기술 장벽에 직면하고 있다.

상기의 기술 장벽을 타파하기 위해서 세계 각국에서는 재료, 장치, 프로세스 등 각 방면에서의 기술개발이 정력적으로 추진되고 있다. 한편, 차세대 리소그래피 기술로는 극단자외선(EUB) 기술, 전자선(EB) 기술, 나노임프린트(NIL) 기술, 자기조직화 기술 등이 있다. 본고에서는 자기조직화 재료를 이용한 미세 패터닝에 대해서 해설한다.

저자

Y. Yamaguchi

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

화학·화공

연도

2013

권(호)

62(5)

잡지명

高分子

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

246~247

분석자

황*일

분석물

• 리빙 음이온 중합에 기초한 미세가공 지향 자기조직화 기술의 개발.pdf [276,635 byte]

이미지변환중입니다.