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고밀착 시드층 형성 무전해 도금공정

전문가 제언

최근의 몇 년, 프린트 기판이나 전자부품에서는 고주파 고밀도화에 따라, 저유전 절연재료나 도체회로 표면의 평활화가 요구되고 있다. 보통, 수지에의 무전해 도금은 크롬산이나 과망간산으로써 표면을 거칠게 처리함으로써 밀착성을 얻고 있지만, 수지표면의 요철이 크고 미세회로가 형성될 수 없다.

 

㎓대역의 고속전송에서는 도체회로 표면에 요철이 존재하면 표피효과에 의하여 신호지연이나 전송손실을 일으키기 쉽기 때문에 수지표면은 평활한 것이 바람직하다. 또, 환경부하 감소에의 노력이 강하고, 장식도금분야에서도 유해한 산화성 약품을 사용하지 않는 Etching-less의 고밀착 도금공정이 요구되고 있다.

 

일본의 주식회사 JCU사는 Kanto대학 재료 표면공학 연구소와 공동 발표한 거친 에칭의 대체로서 자외선(UV) 조사에 의한 표면개질 기술을 이용하여, 평활한 수지표면에서 고밀착을 얻을 수 있는 도금공정을 검토했다. 본고에서는 UV조사와 포르말린을 사용하지 않는 무전해 도금 처리에 의해, 고밀착 시드(seed) 층 형성을 실현한 환경조화형의 접착개량 시드 층(AISL; Adhesion Improvement Seed Layer) 공정에 관하여 기술하였다.

저자
Shizumi Satoru
자료유형
연구단신
원문언어
일어
기업산업분류
재료
연도
2014
권(호)
62(2)
잡지명
工業材料
과학기술
표준분류
재료
페이지
44~45
분석자
이*용
분석물
담당부서 담당자 연락처
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