파워 반도체용 SiC 에피텍시얼 웨이퍼

전문가 제언

현대 반도체산업은 Si를 중심으로 하는 결정재료 고품질화와 미세가공 등 프로세스 기술의 고도화로 급속한 발전을 이루고 있다. 또한 GaAs나 GaN 등의 화합물 반도체재료를 이용하여 발광다이오드, 광기록용 레이저 다이오드 및 휴대전화용 파워앰프 등에 Si의 물성 한계로 인하여 실현 곤란한 고기능 디바이스가 실용화 되고 있다. Showa Denko에서는, SiC 파워반도체 디바이스의 연구개발 촉진과 그의 실용화에 의한 저탄소사회 실현에 기여하기 위해서 고품질 SiC 에피택셜 웨이퍼의 양산기술을 개발했다. 단결정기판 중의 각종 전위결함은 에피층에 전파되어 디바이스의 수율이나 특성에 악영향을 미치는 마이크로 파이프를 개폐하는 기술이나 기저면 전위를 관통인상 전위변환 시키는 기술이 개발되어 현재는 제품제조에 적용하고 있다

저자

Showa Denko

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2013

권(호)

61(7)

잡지명

JETI

과학기술
표준분류

재료

페이지

11~14

분석자

김*환

분석물

• 파워 반도체용 SiC 에피택셜 웨이퍼.pdf [273,087 byte]

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