Ti, Ta과 W탄화물 게이트금속 제작을 위한 적층 스퍼터링 공정

전문가 제언

가열공정과 더불어 반응성 금속탄화물(TiC, TaC 와 W2C)형성위한 카본과 금소박막의 적층이 사용된 스퍼터링 공정을 기술한다. 탄화물 그레인 크기는 TiC, TaC와 W2C에 대해 각각 3.9, 3.2와 1.9nm 로 작으며, 일함수는 각각 4.3, 4.7과 4.9eV로 결정방향 지향적 성장으로 높은 값입니다. 제안된 공정에 의해 제작된 W2C 박막은 게이트전극으로 나노크기의 그레인과 높은 일함수를 갖는 탄화물로서 대단히 중요하다.

저자

K. Tuokedaerhan et al.

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

정보통신

연도

2013

권(호)

103

잡지명

Applied Physics Letters

과학기술
표준분류

정보통신

페이지

1119081~1119083

분석자

박*식

분석물

• Ti, Ta과 W탄화물 게이트금속 제작을 위한 적층 스퍼터링 공정.pdf [251,691 byte]

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