박막에서 수직으로 분자 배향되는 반도체 고분자

전문가 제언

분자배향에 의한 고분자의 이방성 분자구조는 기계적, 전기전자적, 광학적 물성을 결정하는 중요한 요소가 된다. 따라서 용도에 따라 고분자의 분자배향을 인위적으로 조절하여 효율을 향상시킬려는 노력은 고분자 연구의 한 부분을 차지한지 오래되었다. 최근 일본의 연구진에 의해 폴리 3-알킬 치오펜<poly(3-alkylthiophne): P3AT>과 푸루오로알킬 그룹의 성질을 이용하여 박막에서 엔드 온(end-on) 분자배향되는 반도체 고분자의 제조과정이 밝혀져 향 후 반도체 고분자의 응용효율성은 물론 용도확대를 위한 기반이 마련되었다.

저자

Jusha Ma et al.

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

화학·화공

연도

2013

권(호)

135

잡지명

Journal of the American Chemical Society

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

9644~9647

분석자

최*림

분석물

• 박막에서 수직으로 분자 배향되는 반도체 고분자.pdf [235,646 byte]

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