메모리 디바이스의 자구벽 트랩핑 방법

전문가 제언

G. Beach들의 전압제어에 의한 MDW의 트랩핑 방식은 MDW의 위치를 지정하는 데에는 완전한 해법을 제공하지 못하고 있다. 특히 이들은 트랩 변환이 느려 수분이 걸리는 사실을 인지하고 있다. 그러나 디바이스와 재료요인의 최적화가 이루어지고 자기이방성의 변화에 대한 이해가 깊어지면 응답속도는 개선될 수 있을 것이다. 또 이 방법에서는 MDW의 이동 트랩에 외부자장이나 또는 스핀전류를 이용하는데 양자 모두 실용성과 에너지 소비에서 결점을 갖고 있다. G. Beach의 방법이 이러한 결점을 개선하고 MDW의 운동을 제어하도록 개발된다면 그 기술적 임팩트는 매우 클 것이다.

저자

T. J. Hayward and D. A. Allwood

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

재료

연도

2013

권(호)

8(6)

잡지명

Nature Nanotechnology

과학기술
표준분류

재료

페이지

391~392

분석자

심*동

분석물

• 메모리 디바이스의 자구벽 트랩핑 방법.pdf [229,132 byte]

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