자기메모리 MRAM 기술동향

전문가 제언

스핀전자공학을 응용한 부품, 자기메모리(MRAM; Magnetic Random Access Memory)는 고속으로 읽고 쓰기와 무한대의 다시쓰기 회수를 갖는 유일한 비휘발 메모리이다. 때문에 꿈의 메모리지만 기록전류가 커서, 고집적화가 어려웠다.

2007년에 수직자화방식의 MTJ기억소자[(P-MTJ; Perpendicular MTJ(Magnetic Tunnel Junction)]를 이용한 스핀주입 기록MRAM이 제안되었고, 현재는 기가비트(Gbit)급 고집적화도 가능한 수십㎂의 작은 기록전류 값과 200%를 넘는 저항변화율이 실증되어, 실용화 개발단계에 이르고 있다. 본고에서는 최근의 P-MTJ에 의한 혁신의 개발경위에 관하여 기술하였다.

저자

Hiroki Yoda

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2013

권(호)

61(8)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

재료

페이지

19~22

분석자

김*상

분석물

• 자기메모리(MRAM) 기술동향.pdf [251,701 byte]

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