STT-MRAM을 위한 인공격자 박막의 개발

전문가 제언

이종재료를 원자수준으로 번갈아 적층한 다층박막 구조를 ?인공격자?구조박막이라고 한다. 금속재료를 기본으로 하는 금속인공격자의 역사는 30년을 넘고, 현재까지 기존의 금속박막에 존재하지 않는 특성을 이끌어 내고 있다. 금속인공격자 기법의 급격한 진전을 보이는 스핀회전력 반전형 자기메모리(STT-MRAM; Spin-Transfer-Torque Magnetoresistive Random Access Memory) 사업을 확장하는 것이 일본 산업기술종합연구소(AIST; Advanced Industrial Science Technology)의 시도이다.

이중에서도 기억층, 참조층과 함께 수직자화 배향한 STT-MRAM의 기본적인 역할을 하는 ?수지자화박막?에 개발의 초점을 정했다.수직자화 박막자체는 지금까지 자기광학효과나 수직매체의 성숙한 분야에 서 많이 개발되어 왔기 때문에 후보재료는 많다. 그러나 기존의 박막재료는 보통 요구되는 사양의 하나를 만족해도 다른 것을 만족시키지 못하는 등, 요구특성 모두를 동시에 만족시키기란 용이하지 않다.

본 연구에서는 수직자화 막으로서 Co/Pt 및 Co/Pd인공격자를 새로이 개발했다. 이들 양자와도 합금하는 CoPt나 CoPd가 이미 알려져 있어, 재료자체는 새로운 것은 아니다. AIST의 인곡격자 형성 의도는 예전처럼 자연계에 존재하지 않는 재료를 조합시켜 「인공합금」을 합성하는 것이 아니라, 기존의 합금을 강제로 번갈아 적층하는 수직형의 STT-MRAM에 응용 특화한 뛰어난 특성을 갖게 하는데 있다.

저자

Kei Yakushizi

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2013

권(호)

61(8)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

재료

페이지

47~50

분석자

김*상

분석물

• STT-MRAM을 위한 인공격자 박막의 개발.pdf [256,624 byte]

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